[qmeso-seminar] семинар сектора 26 сентября

[Mikhail A. Skvortsov]

                     СЕМИНАР СЕКТОРА КВАНТОВОЙ МЕЗОСКОПИКИ

                        пятница 26 сентября, 15:00, ИТФ


                          С.В. Зайцев-Зотов (ИРЭ РАН)

Влияние структурных дефектов и атомных ступеней на локальную плотность состояний
           атомно-чистой поверхности топологического изолятора Bi2Se3


Представлены результаты исследования атомно-чистой поверхности топологического
изолятора Bi2Se3 методами сверхвысоковакуумной низкотемпературной сканирующей
туннельной микроскопии (СТМ) и спектроскопии (СТС). Обнаружены дефекты глубина
залегания и ожидаемый заряд которых соответствует р-типу проводимости объема
кристалла. Знак термо-эдс также соответствует р-типу проводимости. Результаты
исследований методами туннельной спектроскопии показывают, что уровень
химического потенциала находится внутри запрещенной зоны объема. Обнаружено
изменение локальной плотности состояний вблизи края пятислойной ступени, которое
соответствует сдвигу положения вершины дираковского конуса относительно объемной
зоны или же также сдвигу химического потенциала вблизи края ступени.

по работе A.Yu. Dmitriev et al., http://arxiv.org/abs/1408.4991