[qmeso-seminar] семинар 21 ноября

[Quantum Mesoscopics Dept.]

СЕМИНАР СЕКТОРА КВАНТОВОЙ МЕЗОСКОПИКИ

пятница 21 ноября, 15:00, ИТФ



Заур Алисултанов (МФТИ)

Индуцированные беспорядком топологические переходы в
мультислойном топологическом изоляторе



Используя простую модель Буркова-Балентса, мы исследовали
влияние немагнитного беспорядка на электронные состояния
многослойной структуры, состоящей из слоев как топологических,
так и обычных диэлектриков. Мы получили фазовые диаграммы в
зависимости от уровня беспорядка, показывая, что немагнитный
беспорядок может индуцировать переходы между различными
топологическими фазами.

Далее, мы исследовали электронные свойства многослойного
топологического изолятора (МТИ) в условиях недиагонального
беспорядка, когда параметры межслойного туннелирования
флуктуируют от слоя к слою. Сначала мы решили задачу для
единичного недиагонального дефекта, при котором в системе
присутствует один слой с туннельным параметром, отличным от
остальных. Такой дефект индуцирует связанное состояние внутри
запрещенной зоны. Зависимость энергии этого состояния от силы
возмущения существенно различается в тривиальной и
топологической фазах МТИ, что делает такую зависимость
универсальным локальным индикатором топологического порядка.

Используя простое диаграммное разложение мы вычислили плотность
состояний (ПС) для четырёх топологических фаз, реализуемых в этой
системе: нормальный изолятор, топологический изолятор,
полуметалл Вейля и фаза аномального квантового эффекта Холла
(АКЭХ). Недиагональный беспорядок порождает новые объёмные
состояния в щели и может привести к разрушению топологических
фаз.

Наконец, мы изучили влияние недиагонального беспорядка на
локализацию краевых мод в МТИ. Мы оценили длину локализации для
трёх распределений беспорядка: равномерного, гауссова и
лоренцева. Недиагональный беспорядок сохраняет киральность, но
при этом может способствовать делокализации краевых мод и
туннелированию между ними, подрывая топологическую защиту. Мы
вычислили поправку к продольной краевой проводимости,
возникающую из-за туннельных эффектов, и показали, что такой
беспорядок может вызывать отклонение краевой проводимости от
квантованного значения.

Z.Z. Alisultanov, A. Kudlis, Phys. Rev. B 109, 165141 (2024)
Z.Z. Alisultanov, A. Kudlis, Phys. Rev. B 112, 205108 (2025)



[Трансляция: https://zoom.us/j/96948399564?pwd=RXlKbW96Qm1tZEV6SHB0Q2JYeTdrdz09]

подробнее: http://qmeso.itp.ac.ru/seminars.php?abstract=true