<html>
<head>
<meta http-equiv="content-type" content="text/html; charset=utf-8">
</head>
<body bgcolor="#FFFFFF" text="#000000">
Четверг 7 июня 2018 г.<br>
Теоретический семинар в ИФП, 11:30.<br>
<br>
<br>
А.Ю. Кунцевич (ФИАН)<br>
<br>
<font size="+1"><b>Электронные свойства допированных халькогенидов
висмута</b></font><br>
<br>
Халькогениды висмута являются топологическими изоляторами с
наибольшими ширинами запрещенной зоны. При допировании Bi2Se3 медью,
стронцием или ниобием Bi2Se3 становится сверхпроводящим
(предположительно, нематическим топологическим сверхпроводником).<br>
<br>
В докладе будет дан обзор имеющихся на сегодняшний день данных о
нематической сверхпроводимости данного материала, в том числе и наши
результаты о корреляции нематичности со структурными искажениями
[arXiv:1801.09287].<br>
<br>
Также я расскажу о часто обсуждаемом в литературе измерении фазы
Берри из магнитоосцилляций. Нами приведены простые макроскопические
аргументы [Phys. Rev. B 97, 195431 (2018)], почему в реальных
топологических изоляторах эта фаза может сильно отличаться от
теоретически ожидаемого значения.<br>
<br>
<br>
--------------------------------------------<br>
Информация о всех запланированных семинарах:<br>
<a href="http://itp.ac.ru/ru/seminars/kapitza-institute/">http://itp.ac.ru/ru/seminars/kapitza-institute/</a><br>
</body>
</html>