<html>
<head>
<meta http-equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
</head>
<body text="#000000" bgcolor="#FFFFFF">
Четверг 13 июня 2019 г.<br>
Теоретический семинар в ИФП, 11:30.<br>
<br>
<br>
Б.В. Андрюшечкин (ИОФРАН)<br>
<br>
<font size="+1"><b>Структурные фазовые переходы на поверхности
металлов при взаимодействии с галогенами</b></font><br>
<font size="+1">(по материалам докторской диссертации)</font><br>
<br>
Представлено систематическое изучение структурных фазовых переходов
на поверхности металлов при взаимодействии с галогенами в условиях
сверхвысокого вакуума. Основным методом исследования являлась
сканирующая туннельная микроскопия в сочетании с расчетами в рамках
теории функционала плотности. Проведена классификации всех
структурных превращений на галогенированной поверхности металлов,
включающих в себя как собственно фазовые переходы в 2D слое
(упорядочение, плавление, переход из соразмерной в несоразмерную
фазу), так и реконструкцию поверхности и формирование специфических
поверхностных галогенидных фаз. Показано, что системы галоген/металл
могут рассматриваться в качестве модельных при изучении общих
закономерностей фазовых переходов в двумерных системах.<br>
<br>
Основные результаты:<br>
1. На примере адсорбции хлора на поверхность Ag(111) установлено,
что механизм сжатия соразмерной решетки (√3×√3)R30◦ (переход
соразмерная-несоразмерная фаза) включает в себя формирование
краудионов и их конденсацию в сверхплотные линейные доменные стенки.
Показано, что подобный механизм может быть общим и определять
фазовые переходы в слое галогенов на гранях (111) г.ц.к. металлов.<br>
2. Модель линейных доменных стенок описывает процесс сжатия решетки
галогенов на грани (110) г.ц.к. металлов в том случае, если
предпочтительным местом адсорбции галогена является положение между
четырьмя атомами подложки (I/Cu(110), I/Ag(110)). Если наиболее
выгодным местом адсорбции является короткое мостиковое положение, то
сжатие решетки галогена происходит в результате реконструкционных
переходов (Cl/Cu(110)).<br>
3. На грани (100) г.ц.к. металлов сжатие соразмерной решетки
галогенов реализуется только при значительном превышении расстояния
галоген-галоген в исходной соразмерной структуре над диаметром
Ван-дер-Ваальса галогена (случай I/Cu(100)). Установлено, что в этом
случае сжатие происходит за счет серии фазовых переходов первого и
второго рода, включая 2D плавление.<br>
4. Установлено, что на грани Ag(111) после насыщения простого
хемосорбированного слоя хлора происходит реконструкция и
формирование фазы (3×3) в виде массива антифазных доменов размером
15-30 Å. Предложена и теоретически обоснована модель реконструкции
(3×3).<br>
5. Установлено, что после формирования хемосорбированного слоя
галогенов, для ряда систем (Cl/Au(111), Cl/Ag(111), I/Cu(111),
I/Ag(111), I/Ag(100)) происходит формирование поверхностных
галогенидов, структура и стехиометрия которых отличается от
соответствующих объемных соединений.<br>
6. Установлено, что структуры, формируемые атомами галогенов на
поверхности г.ц.к. металлов на субмонослойной стадии адсорбции,
обусловлены непрямыми взаимодействиями между атомами галогенов через
подложку. В частности, на начальной стадии адсорбции хлора на гранях
(111) г.ц.к. металлов (Ag, Cu, Au) происходит формирование
квазиодномерных цепочечных структур с расстояниями между атомами
хлора меньшими и, соответственно, с большей плотностью, чем в
двумерной структуре (√3×√3)R30◦.<br>
<br>
--------------------------------------------<br>
Информация о всех запланированных семинарах:<br>
<a href="http://itp.ac.ru/ru/seminars/kapitza-institute/">http://itp.ac.ru/ru/seminars/kapitza-institute/</a><br>
</body>
</html>